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１９８２年 ３月 東京理科大学理学部物理学科卒業
１９８４年 ３月 東北大学理学研究科博士課程前期物理学専攻修了
１９８４年 ４月 昭和電工株式会社入社
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シリコン系半導体結晶の格子欠陥と電気的特性に関する研究・開発に従事した後、分析物性センター構造解析チームのチームリーダとして、無機物質系機能性材料、半導体材料・半導体素子、磁性記録媒体等の構造解析・高付加価値化に関する研究・開発業務に従事
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１９８４年 ６月 通産省電子技術総合研究所客員研究員（半導体デバイス研究室）
～１９８５年 １月
１９９０年１０月 米国ノースカロライナ州立大学工学部物質工学科客員研究員
～１９９２年 ５月
１９９３年 ７月 工学博士（大阪大学）
２０００年 ５月 昭和電工㈱退社
２０００年 ８月 ＴＭＩ総合法律事務所入所
２０００年１２月 弁理士登録
２００１年 ７月 ＴＭＩ総合法律事務所退所
谷・阿部特許事務所入所
２００３年 ４月 筑波大学大学院ビジネス科学研究科企業法学専攻コース
博士課程入学（在学中）
２００３年１２月 特定侵害訴訟代理業務試験合格（2004年2月付記登録）
２００４年 １月 谷・阿部特許事務所退所
片山特許事務所入所
２００４年 ８月 片山特許事務所退所
大野総合法律事務所事務所入所
２００６年 １月 パートナー就任
論文
◆ K. Katayama
"Characterization of Oxygen Precipitates in CZ-Silicon Crystals by Light-Scattering Tomography"
Jpn. J. Appl. Phys. 29 (1990) L198
◆ K. Katayama, Y. Kirino and F. Shimura
"Non-contact Characterization for Energy Level Related to Silicon Wafer Surface"
in "Defects in Silicon II" (Eds. W. M. Bullis, U. Goesele and
F. Shimura, The Electrochemical Society, Pennington, NJ, 1991) pp.89
◆ K. Katayama and F. Shimura
"LM-DLTS Measurements for CZ Silicon Wafers with Different [Oi], [Cs] and Thermal History"
in "Defects in Silicon II" (Eds. W. M. Bullis, U. Goesele and F. Shimura,
The Electrochemical Society, Pennington, NJ, 1991) pp.97
◆ K. Katayama, Y. Kirino and F. Shimura
"Effects of Ultraviolet Light Irradiation on Non-contact Microwave Lifetime Measurement"
Jpn. J. Appl. Phys. 30B (1991) L1907
◆ J. Partanen, T. Tuomi and K. Katayama
"Comparison of Defect Images and Density Between Synchrotron Section Topography and
Infrared Light Scattering Microscopy in Heat Treated Czochralski Silicon Crystals"
J. Electrochem. Soc. 139 (1992) 599
◆ K. Katayama and F. Shimura
"Non-contact Defect Characterization for CZ Silicon Crystals with FT-IR, LM-Lifetime,
LM-DLTS and Light Scattering Tomography"
in "Diagnostic Techniques for Semiconductor Materials and Devices
(Eds. J. Benton, G. Maracas and P. Rai-Choudhury, The Electrochemical Society,
Pennington, NJ, 1992) pp.184
◆ K. Katayama and F. Shimura
"Non-contact Characterization for Ultraviolet Light Irradiation Effect
on Si-SiO2 Interface"
Jpn. J. Appl. Phys. 8A (1992) L1001
◆ A. Buczkowski, K. Katayama, G. A. Rozgonyi and F. Shimura
"Non-contact Mobility Measurement with a Laser/Microwave Photoconductance Technique:
Temperature Dependence"
Appl. Phys. Lett. 60 (1992) 1229
◆ L. Zhong, A. Buczkowski, K. Katayama and F. Shimura
"Transient Recovery of Minority-Carrier Lifetime in Silicon After Ultraviolet Irradiation"
Appl. Phys. Lett. 61 (1992) 931
◆ K. Katayama and F. Shimura
"Noncontact Characterization for Ultraviolet Light Irradiation on Si-SiO2 Interface"
in "Defects Engineering in Semiconductor Growth, Processing and Device Technology"
(Eds. S. Ashok, J. Chevallier, K. Sumino and E. Weber, Materials Research Society,
Pittsburgh, 1992)
◆ K. Katayama, A. Agawal, Z. J. Radzimski and F. Shimura
"Investigation on Defects in CZ Silicon with High-Sensitive Laser/Microwave
Photoconductance Technique"
Jpn. J. Appl. Phys. 32 (1993) 298
◆ K. Katayama and F. Shimura
"Noncontact Characterization for Carrier Recombination Center Related to Si-SiO2 Interface"
Jpn. J. Appl. Phys. 32 (1993) L395
活動
◆ 2002年度 日本弁理士会国際活動委員会 委員
◆ 2003－2004年度 日本弁理士会研修所 運営委員
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